近日富士通成功推出擁有1 Mb內存的FRAM產品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業內擁有SPI接口的、尺寸小的1 Mb FRAM器件。MB85RS1MT為智能可穿戴設備提供了理想的內存器件的選擇，除了可讓終端應用產品的整體體積變小之外，更可讓整個系統在寫入數據時將功耗降至低，以延長系統工作時間。智能可穿戴設備是當下的市場熱點，并以驚人的速度快速滲透和發展。智能可穿戴設備應用涵蓋范圍廣闊且種類繁多，包括智能眼鏡、頭戴式顯示器、隱蔽式助聽器和智能脈搏計等，以及可記錄卡路里消耗量和運算數據的活動記錄器如智能手環等。而在這些眾多智能可穿戴設備當中，遠傳磁翻板液位計持續的實時記錄數據亦是*的。

    與一般的非揮發性內存如EEPROM和閃存（Flash）等相比，富士通FRAM可保證有一萬億次寫入/擦除 (write/erase) 周期，它的寫入速度為前者的1000倍以上，而功耗僅為其1/1000-1/100000，FRAM的使用壽命更是超過EEPROM和Flash10000倍以上，是實時存儲數據的理想選擇。為了在更廣泛的應用中進一步擴大FRAM快速讀寫、高可靠性和低功耗的特點，富士通半導體在為1MB FRAM器件采用SOP封裝之后，更推出了其全新WL-CSP封裝版本（見圖一）。在采用WL-CSP封裝后，MB85RS1MT的體積僅為3.09 × 2.28 × 0.33 mm，比SOP封裝體積小了95%（見圖二）---其面積比SOP封裝小了77%（見圖三），其厚度僅相當于厚度的一半（見圖四）。低功耗作業是FRAM眾多優點之一。相較于一般使用的EEPROM非揮發性內存，FRAM寫入數據的速度也比較快，因此可在寫入數據時大幅降低功耗（如圖五）。基于此原因，為了實時記錄而需經常性寫入數據的穿戴式裝置在采用此FRAM后，可擁有更佳電池續航力和更小體積的優勢。